પરમાણ્વિય કક્ષકોમાંથી આણ્વિય કક્ષકો બનતી વખતે,ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા .....

વિધાન અને કારણને સમજ્યા પછી, સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
વિધાન : $H_2$ ના બંધનકારક આણ્વીય કક્ષક $(MO)$ માં, કેન્દ્રોની વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા વધે છે.
કારણ : બંધનકારક $MO$ એ $\psi_A + \psi_B$ છે, જે સંયોજાતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગોનું વિનાશક વ્યતિકરણ દર્શાવે છે.

નીચેનામાંથી કઈ આયનીકરણ પ્રક્રિયામાં,બંધ ક્રમાંક (bond order) વધે છે અને ચુંબકીય વર્તણૂક બદલાય છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝ પેરામેગ્નેટિક (અનુચુંબકીય) છે?

ધાતુઓમાં વિદ્યુતનું વહન સમજાવો.

નીચેનામાંથી કઈ આયનીકરણ પ્રક્રિયામાં બંધ ઉર્જામાં વધારો થાય છે અને ચુંબકીય વર્તણૂક પેરામેગ્નેટિક (અનુચુંબકીય) થી ડાયામેગ્નેટિક (પ્રતિચુંબકીય) માં બદલાય છે?