O ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી N કરતા ઓછી છે,કા | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) $N$ $(Z=7)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^3$ છે. તેમાં સ્થાયી અર્ધપૂર્ણ ભરાયેલી $p$-કક્ષક રચના છે. $O$ $(Z=8)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p

Vedclass · Accepted Answer

પ્રથમમાં અંશતઃ ભરાયેલી કક્ષકો છે,જ્યારે બીજામાં અર્ધપૂર્ણ ભરાયેલી કક્ષકો છે.

Vedclass · Answer

(B) $N$ $(Z=7)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^3$ છે. તેમાં સ્થાયી અર્ધપૂર્ણ ભરાયેલી $p$-કક્ષક રચના છે. $O$ $(Z=8)$ ની ઇલેક્ટ્રોન રચના $1s^2 2s^2 2p^4$ છે. $N$ ની સ્થાયી અર્ધપૂર્ણ ભરાયેલી $2p^3$ કક્ષકમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે $O$ ની $2p^4$ કક્ષકમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા કરતા વધુ ઉર્જાની જરૂર પડે છે. તેથી,$O$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $N$ કરતા ઓછી છે.

$O$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી $N$ કરતા ઓછી છે,કારણ કે .........

Similar Questions

$C$, $N$, $O$ અને $F$ નો દ્વિતીય આયનીકરણ એન્થાલ્પી (second ionisation potential) ના સંદર્ભમાં સાચો ક્રમ કયો છે?

પ્રથમ આયનીકરણ પોટેન્શિયલ કોના માટે મહત્તમ હશે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module