निम्नलिखित में से किस प्रक्रिया में ऊर्जा मुक्त होती है?

ऑक्साइड आयन $O^{2-}_{(g)}$ के निर्माण के लिए पहले एक ऊष्माक्षेपी और फिर एक ऊष्माशोषी चरण की आवश्यकता होती है,जैसा कि नीचे दिखाया गया है:
$O_{(g)} + e^{-} \to O^{-}_{(g)}; \Delta H = -142 \, kJ \, mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^{-} \to O^{2-}_{(g)}; \Delta H = 844 \, kJ \, mol^{-1}$
इसका कारण यह है कि:

किसी तत्व की दूसरी इलेक्ट्रॉन बंधुता ...

निम्नलिखित तत्वों के प्रत्येक युग्म में से किस तत्व की इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी अधिक ऋणात्मक है?
$(i)$ $O$ या $F$ $(ii)$ $F$ या $Cl$

इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी क्या है?

$O \rightarrow O^{-}$ और $O \rightarrow O^{2-}$ के लिए इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी के मान क्रमशः $-141 \ kJ \ mol^{-1}$ और $702 \ kJ \ mol^{-1}$ हैं,तो आप $O^{-}$ के बजाय $O^{2-}$ स्पीशीज वाले बड़ी संख्या में ऑक्साइड के निर्माण के लिए क्या कारण दे सकते हैं?
(संकेत: यौगिकों के निर्माण में जालक ऊर्जा (lattice energy) कारक पर विचार करें)।