અર્ધવાહકોમાં ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ અશુદ્ધિઓ અને ઇલેક્ટ્રોન-ઊણપ ધરાવતી અશુદ્ધિઓ સમજાવો.

(N/A) $1$. ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ અશુદ્ધિઓ: જ્યારે સમૂહ-$14$ ના તત્વો (જેમ કે $Si$ અથવા $Ge$) માં સમૂહ-$15$ ના તત્વો (જેમ કે $P$ અથવા $As$) ઉમેરવામાં આવે છે ત્યારે આ અશુદ્ધિઓ રચાય છે. સમૂહ-$15$ ના તત્વોમાં $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી,$4$ ઇલેક્ટ્રોન $Si/Ge$ સાથે સહસંયોજક બંધ બનાવે છે અને $5$મો ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત રહે છે,જે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બનાવે છે.
$2$. ઇલેક્ટ્રોન-ઊણપ ધરાવતી અશુદ્ધિઓ: જ્યારે સમૂહ-$14$ ના તત્વોમાં સમૂહ-$13$ ના તત્વો (જેમ કે $B$ અથવા $Al$) ઉમેરવામાં આવે છે ત્યારે આ અશુદ્ધિઓ રચાય છે. સમૂહ-$13$ ના તત્વોમાં માત્ર $3$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન હોવાથી,તે લેટીસમાં ઇલેક્ટ્રોન હોલ (ખાલી જગ્યા) બનાવે છે,જે ધન વીજભાર વાહક તરીકે વર્તે છે અને $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક બનાવે છે.