નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના કેન્દ્રની વધ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) ઇલેક્ટ્રોનનું કેન્દ્રથી અંતર મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક $n$ પર આધાર રાખે છે. $4s^2 3d^{10}$ રચનામાં,સૌથી બહારના ઇલેક્ટ્રોન $n=4$ કક્ષામાં છે. $4s^0 3d^{10

Vedclass · Accepted Answer

$4s^0 3d^{10}$

Vedclass · Answer

(B) ઇલેક્ટ્રોનનું કેન્દ્રથી અંતર મુખ્ય ક્વોન્ટમ આંક $n$ પર આધાર રાખે છે. $4s^2 3d^{10}$ રચનામાં,સૌથી બહારના ઇલેક્ટ્રોન $n=4$ કક્ષામાં છે. $4s^0 3d^{10}$ રચનામાં,સૌથી બહારના ઇલેક્ટ્રોન $n=3$ કક્ષામાં છે. $n=3 < n=4$ હોવાથી,$3d^{10}$ રચનામાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન $4s^2 3d^{10}$ રચનાની સરખામણીમાં કેન્દ્રની વધુ નજીક છે.

નીચેનામાંથી કઈ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના કેન્દ્રની વધુ નજીક છે: $4s^2 3d^{10}$ કે $4s^0 3d^{10}$?

Similar Questions

ક્વોન્ટમ આંક $n = 2, l = 1, m = 1, s = -1/2$ ધરાવતા તત્વનું આવર્ત કોષ્ટકમાં સ્થાન નીચેનામાંથી કયું છે?

એક ઇલેક્ટ્રોનનો સ્પિન ક્વોન્ટમ નંબર $+1/2$ અને ચુંબકીય ક્વોન્ટમ નંબર $-1$ છે. તે કઈ કક્ષકમાં હોઈ શકે નહીં?

ઇલેક્ટ્રોનનું કોણીય વેગમાન શેના પર આધાર રાખે છે?

પોટેશિયમ (પરમાણુ ક્રમાંક $19$) ની સૌથી બહારની કક્ષામાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન માટે ચાર ક્વોન્ટમ આંક કયા છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module