एक शुद्ध अर्धचालक क्रिस्टल में $5 \times 10^{22}$ परमाणु प्रति $cm^3$ हैं। इसे $1$ ppm सांद्रता वाले पंचसंयोजी (pentavalent) तत्व के साथ डोप किया जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में होल्स की संख्या ज्ञात कीजिए (दिया गया है कि $n_i = 1.5 \times 10^{10} cm^{-3}$):
- A$4.5 \times 10^3 cm^{-3}$
- B$2.25 \times 10^9 cm^{-3}$
- C$4.5 \times 10^9 cm^{-3}$
- D$5 \times 10^6 cm^{-3}$
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$P$-प्रकार के अर्धचालक में, स्वीकर्ता (acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर स्थित है। होल बनाने के लिए आवश्यक अधिकतम तरंगदैर्ध्य ....... $\mathring{A}$ है। (दिया है: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)
Difficult
View Solutionएक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $4 \times 10^{28}$ परमाणु प्रति $m^3$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ एंटीमनी की सांद्रता के साथ डोप किया जाता है। उपलब्ध मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी
दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का होता है?
Easy
View Solution$P$-प्रकार के अर्धचालक में फॉरबिडन गैप में वैलेंस बैंड के निकट जो ऊर्जा स्तर बनता है,उसे ...
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View Solutionनिम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है? एक $p$-प्रकार के अर्धचालक को किसके साथ डोप किया जाता है?
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