પ્લેટો વચ્ચે હવાના માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \mu F$ છે. કેપેસિટરના ક્ષેત્રફળને બે સમાન ભાગોમાં વહેંચવામાં આવે છે અને તેમાં $K_1=2$ અને $K_2=4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા બે માધ્યમો ભરવામાં આવે છે (આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ). તો આ સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

એક કેપેસિટરને ચાર્જ કર્યા પછી બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો સાચું વિધાન પસંદ કરો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર સેટઅપમાં,કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $2 \, m^{2}$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1 \, m$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $0.5 \, m$ જાડાઈ અને $2 \, m^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે (આકૃતિ જુઓ),તો સેટઅપનું કેપેસિટન્સ $......... \, \varepsilon_{0}$ થશે. (પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $= 3.2$) (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને ચોથા ભાગનું કરવામાં આવે છે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે। જો કેપેસિટરની પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $4 \mu F$ હોય, તો તેની નવી કેપેસિટન્સ કેટલી હશે ($\mu F$ માં)?

$C_1$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર-ફિલ્ડ કેપેસીટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જ્યારે $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને સમાન ક્ષેત્રફળ $A$ ધરાવતી ધાતુની શીટ પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $C_2 : C_1$ કેટલો હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવી છે. જો દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,તો કેપેસિટરનું સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?