હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $4 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $K = 6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય . . . . . . થશે. ($pF$ માં)

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.

$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને $V$ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. બીજા કિસ્સામાં કેપેસિટર વચ્ચેનો સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $100 \ mm$ છે. તેમાં બે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્તરો છે: એક $10$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $6 \ mm$ જાડાઈ ધરાવતું અને બીજું $5$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $4 \ mm$ જાડાઈ ધરાવતું છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ શોધો.

એક કેપેસિટર $C$ ને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ધીમેથી અમુક અંતરે નજીક લાવવામાં આવે,તો:

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને શ્રેણીમાં જોડીને $V_0 \, V$ ના અચળ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?