$6 \text{ }\mu\text{F}$ કેપેસિટરની બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે $4.0 \text{ A}$ નો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઉત્પન્ન થાય છે. કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતો ફેરફારનો દર આશરે $\alpha \times 10^6 \text{ V/s}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

રેડિયો તરંગોને શોધવા માટે શેનો ઉપયોગ કરવામાં આવતો હતો?

$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

$1\,\mu F$ કેપેસિટરની બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે $2\,A$ નો તત્કાલ સ્થાનાંતર પ્રવાહ સ્થાપિત કરવા માટે,કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કયા દરે બદલવો પડશે?

એમ્પીયરના સર્કિટલ નિયમમાં રહેલી ક્ષતિઓને સુધારવા માટે કયું સૂચન કરવામાં આવ્યું હતું?

$30 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $150 \mu A$ છે. કેપેસીટરને બદલાતા પોટેન્શિયલના સ્ત્રોત દ્વારા કયા દરે ચાર્જ કરવામાં આવે છે ($Vs^{-1}$ માં)?