$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં,એક્સેપ્ટર (Acceptor) ઊર્જાસ્તરો $E_A$ ક્યાં આવેલા હોય છે?

એક સિલિકોનનો નમૂનો $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ડોપિંગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. જેમાં ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ સિલિકોનના $5 \times 10^7$ પરમાણુ દીઠ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોનની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ હોય,તો પ્રતિ $\text{cm}^3$ દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા ગણો.

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ નો તાપમાન $(T)$ પરનો આધાર નીચેનામાંથી કયા આલેખ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે?

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?