सौर सेल का सक्रिय क्षेत्र $......$ होता है ताकि प्राप्त शक्ति $......$.

जब $2480 \; nm$ से कम तरंग दैर्ध्य का विद्युत चुम्बकीय विकिरण एक अर्धचालक पर आपतित होता है,तो उसकी विद्युत चालकता बढ़ जाती है। अर्धचालक के लिए $eV$ में बैंड गैप है

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

सही कथन का चयन करें।

एक फोटोडायोड की चालकता केवल तभी बदलती है जब आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य < 660 \, nm हो। फोटोडायोड का बैंड गैप $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ पाया जाता है। $x$ का मान है: (दिया गया है, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)

जब $LED$ का निर्माण एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(AlGaAs)$ का उपयोग करके किया जाता है,तो यह क्या उत्सर्जित करता है?