दी गई आकृति में,एक Si डायोड और एक Ge डायोड श् | vedclass

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Question

(A) $Si$ डायोड के लिए रोधिका विभव (barrier potential) लगभग $0.7 \ V$ है और $Ge$ डायोड के लिए यह लगभग $0.3 \ V$ है।चूंकि डायोड श्रेणीक्रम में हैं,इसलिए

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$0 \ V$

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(A) $Si$ डायोड के लिए रोधिका विभव (barrier potential) लगभग $0.7 \ V$ है और $Ge$ डायोड के लिए यह लगभग $0.3 \ V$ है।चूंकि डायोड श्रेणीक्रम में हैं,इसलिए दोनों को अग्र अभिनत करने के लिए आवश्यक कुल विभव पतन $V_{total} = 0.7 \ V + 0.3 \ V = 1.0 \ V$ है।$Ge$ डायोड का कैथोड $-1 \ V$ के विभव से जुड़ा है।मान लीजिए बिंदु $A$ पर विभव $V_A$ है।डायोड के अग्र अभिनत होने के लिए,श्रेणी संयोजन पर विभवांतर कम से कम $1.0 \ V$ होना चाहिए।अतः,$V_A - (-1 \ V) = 1.0 \ V$।$V_A + 1 \ V = 1.0 \ V$।$V_A = 0 \ V$।

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