$CE$ ઍમ્પ્લિફાયરને લાગુ પાડેલ ઇનપુટ વૉલ્ટેજ $v_i = 0.2 \sin(1000t) \text{ V}$ છે. જો ઍમ્પ્લિફાયરનો વૉલ્ટેજ ગેઇન $10$ હોય,તો આઉટપુટ વૉલ્ટેજનું સમીકરણ ....... $\text{V}$ છે.

કોમન એમિટર મોડમાં એક $N-P-N$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ $4 \ mA$ ના કલેક્ટર પ્રવાહ સાથે સાદા વોલ્ટેજ એમ્પ્લીફાયર તરીકે થાય છે. $8 \ V$ ની બેટરીનો ટર્મિનલ લોડ અવરોધ $R_L$ દ્વારા કલેક્ટર સાથે અને અવરોધ $R_B$ દ્વારા બેઝ સાથે જોડાયેલ છે. કલેક્ટર-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{CE} = 4 \ V$,બેઝ-એમિટર વોલ્ટેજ $V_{BE} = 0.6 \ V$ અને બેઝ કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta_{d.c.} = 100$ છે. $R_L$ અને $R_B$ ના મૂલ્યોની ગણતરી કરો.

એક ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કોમન એમિટર મોડમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કરવામાં આવે છે. તો:

ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો કયો ભાગ મોટા પ્રમાણમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ ઉત્પન્ન કરવા માટે ભારે ડોપિંગ ધરાવે છે?

આપેલ સર્કિટમાં, ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો $\beta$ મૂલ્ય $48$ છે. જો બેઝ કરંટ $200 \mu A$ આપવામાં આવે, તો ટર્મિનલ $Y$ પર વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

$NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કિસ્સામાં,કલેક્ટર પ્રવાહ હંમેશા એમિટર પ્રવાહ કરતા ઓછો હોય છે કારણ કે: