$P-N$ जंक्शन के फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध और रिवर्स बायस प्रतिरोध का अनुपात लगभग ....... है।

दिए गए परिपथ में, लोड प्रतिरोध $(R_L)$ के सिरों पर विभवांतर है: ($V$ में)

एक रिवर्स-बायस्ड $PN$ जंक्शन की डिप्लेशन परत के मध्य में,

मान लीजिए कि चित्र में दिखाए गए प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $50 \Omega$ और रिवर्स बायस प्रतिरोध अनंत है। $150 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा है

$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है, तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

दिए गए इनपुट वोल्टेज $V_i$ के लिए दिखाए गए परिपथ में, अधिकतम आउटपुट वोल्टेज $V_0$ है