જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ સાથે ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $6V_0$ છે. જ્યારે આ જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ થી ઘટાડીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય શોધો. [$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ]

બે ફોટોન પ્રવાહો,જેની ઉર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા અનુક્રમે $5$ અને $10$ ગણી છે,તે ધાતુની સપાટી પર ક્રમશઃ આપાત થાય છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ધાતુની સપાટી પર $6 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ છે. ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી ન્યૂનતમ રિવર્સ સ્થિતિમાન (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) ........ $V$ છે.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે, જેનાથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $c = \text{પ્રકાશનો વેગ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$)

એક ફોટો-ઈમિશન પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ માંથી ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_P, E_Q$ અને $E_R$ છે,અને તેઓ $E_P = 2E_Q = 2E_R$ સંબંધ ધરાવે છે. આ પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P$ અને $Q$ માટે સમાન મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે,જ્યારે ધાતુ $R$ માટે અલગ મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે. ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.0 \ eV$,$4.5 \ eV$ અને $5.5 \ eV$ છે. ધાતુ $R$ માટે વપરાતા આપાત ફોટોનની ઊર્જા,$eV$ માં,કેટલી હશે?