ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે અને વિકિરણની તીવ્રતા અચળ રાખવામાં આવે,તો:

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

સિલ્વર માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda_{0}$ છે. $\lambda$ $(\lambda < \lambda_{0})$ જેટલી આપાત તરંગલંબાઈ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ થાય છે. ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર પડે છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. નીચેનામાંથી ખોટું વિધાન પસંદ કરો:

આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ......... દ્વારા આપવામાં આવે છે.