ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4.8 \ m/s$ છે. જો ઈલેક્ટ્રોનનો $e/m$ ગુણોત્તર $1.76 \times 10^{11} \ C/kg$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ...... છે.

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

જો એક ફોટોસેલને $1240 \, Å$ ના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $8 \, V$ મળે છે; તો ઉત્સર્જકનું વર્ક ફંક્શન અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ શોધો.

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

નીચેનો આલેખ આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના ફેરફારને દર્શાવે છે. સાચો આલેખ કયો છે? [$v_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ].