જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

બે સમાન ફોટોકેથોડ $n_1$ અને $n_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો $m$ દળ ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ હોય, તો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

$P$ પાવર ધરાવતા સ્ત્રોત દ્વારા ઉત્સર્જિત $\lambda$ તરંગલંબાઈના ફોટોન ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. જો સેલમાં ઉત્પન્ન થતો પ્રવાહ $I$ હોય,તો ફોટોસેલમાં પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરતા આપાત ફોટોનની ટકાવારી કેટલી હશે? (જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે)

જ્યારે $4 \times 10^{15} \,Hz$ અને $6 \times 10^{15} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણો અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં એક જ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: 3$ છે. ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ............... $\times 10^{15} Hz$ છે.

$1.6 \times 10^7 \ m/s$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈ $0.4 \ \mathring{A}$ છે. ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ માટે જરૂરી પ્રવેગક વોલ્ટેજ કેટલો હશે? (ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)