જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે બેન્ડ ગેપ ઊર્જા કેટલી છે?

કોપરની પટ્ટી અને જર્મેનિયમની પટ્ટીને ઓરડાના તાપમાનેથી $80 \ K$ સુધી ઠંડી પાડવામાં આવે છે. તો અવરોધ:

અર્ધવાહક (semiconductor) માં તાપમાન વધવાથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(n_e)$ અને અવરોધ (resistance) પર શું અસર થશે?

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(A)$ $0 \ K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(B)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(C)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(D)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

ઓરડાના તાપમાને અર્ધવાહકોમાં,

સિલિકોનના ત્રણ સેમિકન્ડક્ટર નમૂનાઓ માટે એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામ નીચે મુજબ દર્શાવેલ છે. તો આપણે કહી શકીએ કે :-