$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

$\text{એક આંતરિક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા } 6 \times 10^{15} \,m^{-3} \text{ છે. અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને } 4 \times 10^{22} \,m^{-3} \text{ થાય છે. ઉષ્મીય સંતુલનમાં, ડોપ્ડ અર્ધવાહકમાં હોલ્સની સાંદ્રતા કેટલી હશે?}$

$N-$ પ્રકાર અને $P-$ પ્રકારના સિલિકોન શુદ્ધ સિલિકોનમાં શેનું ડોપિંગ કરીને મેળવી શકાય છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \text{ meV}$ પર છે. હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી હશે?

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

એક સિલિકોન નમૂનાને $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવા માટે સરેરાશ દર $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms } m^{-3}$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર સ્વીકારક (acceptor) પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?