$2.5 \, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે?

  • A
    $4000 \, nm$
  • B
    $6000 \, nm$
  • C
    $4000 \, \mathring{A}$
  • D
    $6000 \, \mathring{A}$

Explore More

Similar Questions

સૌર વિકિરણોનું emf માં કાર્યક્ષમ રૂપાંતરણ કરવા માટે પદાર્થ $A$ નો ઉપયોગ કરીને એક સોલર સેલ બનાવવાનો છે. સોલર સેલને પદાર્થ $B$ ના કોટિંગની મદદથી યાંત્રિક રીતે સુરક્ષિત રાખવાનો છે. જો પદાર્થ $A$ અને $B$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા અનુક્રમે $E_{A}$ અને $E_{B}$ હોય,તો સોલર સેલના વધુ સારા પ્રદર્શન માટે નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ શ્રેષ્ઠ છે?

$LED$ બનાવવા માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ જણાવો.

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ની રચના,કાર્યપદ્ધતિ,ઉપયોગો અને ફાયદાઓ સમજાવો.

સોલર સેલના નિર્માણ માટે આદર્શ પદાર્થો કયા છે? અને તેની પસંદગી માટેના માપદંડો જણાવો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo