ક્રિસ્ટલ ડાયોડ એ એક:

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો, જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે, ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય, તો :

નીચેના સર્કિટમાં $PN$-જંકશન ડાયોડ $D_1, D_2$ અને $D_3$ આદર્શ છે. $A$ અને $B$ ના નીચેના પોટેન્શિયલ માટે,$A$ અને $B$ વચ્ચેના અવરોધનો સાચો વધતો ક્રમ કયો હશે?
$(i) V_A = -10\,V, V_B = -5\,V$
$(ii) V_A = -4\,V, V_B = -12\,V$

નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં બે ડાયોડ $D_1$ અને $D_2$ છે,જે દરેકનો ફોરવર્ડ અવરોધ $50 \, \Omega$ અને રિવર્સ અવરોધ અનંત છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $6 \, V$ હોય,તો $100 \, \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો પ્રવાહ (એમ્પિયરમાં) કેટલો હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે, માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન રિજન (depletion region) ની પહોળાઈ: