1000 , text{turns/m} वाले एक लंबे सोलेनोइड मे | vedclass

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Question

(D) सोलेनोइड में कोर पदार्थ का चुंबकीय आघूर्ण $M = I_{m} V$ द्वारा दिया जाता है, जहाँ $I_{m}$ चुंबकन की तीव्रता है और $V$ आयतन है。$I_{m} = \chi H$, जह

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$250$

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(D) सोलेनोइड में कोर पदार्थ का चुंबकीय आघूर्ण $M = I_{m} V$ द्वारा दिया जाता है, जहाँ $I_{m}$ चुंबकन की तीव्रता है और $V$ आयतन है。$I_{m} = \chi H$, जहाँ $\chi$ चुंबकीय प्रवृत्ति है और $H$ चुंबकीय क्षेत्र की तीव्रता है。चूंकि $\chi = \mu_{r} - 1$, इसलिए $M = (\mu_{r} - 1) H V$ होता है。एक लंबे सोलेनोइड के लिए, $H = nI$ स्थिर रहता है。अतः, $M \propto (\mu_{r} - 1)$ है。चुंबकीय आघूर्ण में आंशिक परिवर्तन $\frac{\Delta M}{M} = \frac{(\mu_{r2} - 1) - (\mu_{r1} - 1)}{\mu_{r1} - 1} = \frac{\mu_{r2} - \mu_{r1}}{\mu_{r1} - 1}$ है。यहाँ $\mu_{r1} = 500$ और $\mu_{r2} = 750$ दिया गया है, इसलिए $\frac{\Delta M}{M} = \frac{750 - 500}{500 - 1} = \frac{250}{499}$ प्राप्त होता है。इसकी तुलना $\frac{x}{499}$ से करने पर, हमें $x = 250$ प्राप्त होता है।

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