એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને પોટેન્શિયલ ડિફરન્સના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ઇન્સ્યુલેટેડ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને એકબીજાથી દૂર ખસેડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

  • A
    કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર વધે છે.
  • B
    કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર ઘટે છે.
  • C
    કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ વધે છે.
  • D
    પ્લેટો વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ ડિફરન્સ વધે છે.

Explore More

Similar Questions

બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર શ્રેણીમાં જોડેલા છે અને ત્યારબાદ તેમને $100 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. બીજા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $4.0$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું સ્તર દાખલ કરવામાં આવે છે. તો દરેક કેપેસિટરની વચ્ચે અનુક્રમે સ્થિતિમાન તફાવત કેટલો હશે?

Difficult
View Solution

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \ cm^2$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \ mm$ જાડાઈ અને $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે? ($\varepsilon_0 =$ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી)

એક કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ સંપૂર્ણપણે દાખલ કરવામાં આવે,તો કેપેસિટર પરનો અંતિમ વિદ્યુતભાર કેટલો હશે? (ધારો કે પ્રારંભિક વિદ્યુતભાર $q_{0}$ છે)

$K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી અને સમાન જાડાઈની બે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. જો $K_1 = 2K_2$ હોય અને સ્લેબ પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ હોય,તો:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo