$q$ વિદ્યુતભાર અને $m$ દળ ધરાવતો એક કણ ઉગમબિંદુથી વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E = E\hat i$ અને ચુંબકીય ક્ષેત્ર $\vec B = B\hat i$ ની અસર હેઠળ $v_0\hat j$ ના પ્રારંભિક વેગ સાથે ગતિ કરવાનું શરૂ કરે છે. કેટલા સમય પછી કણની ઝડપ $2v_0$ થશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે. એકને વિધાન $(A)$ અને બીજાને કારણ $(R)$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $(A) :$ સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રના ચોક્કસ વિસ્તારમાં એક ઇલેક્ટ્રોન સીધી રેખામાં અચળ વેગથી ગતિ કરી રહ્યો છે.
કારણ $(R) :$ તે વિસ્તારમાં ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનના વેગની દિશામાં છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

$m$ દળ અને $q$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો પ્રોટોન $E$ ગતિઊર્જા સાથે એક સમતલમાં ગતિ કરે છે. જો ગતિના સમતલને લંબરૂપે સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ અસ્તિત્વમાં હોય, તો પ્રોટોન કેટલી ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરશે?

$m$ દળ અને $q$ વીજભાર ધરાવતો એક કણ $XZ$ સમતલ પર $v$ વેગ સાથે આપાત થાય છે,જે $X$-અક્ષની દિશામાં લાગુ પડેલા સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર સાથે $\theta$ ખૂણો બનાવે છે. કણ દ્વારા કરવામાં આવતી ગતિનો પ્રકાર . . . . . . છે.

$x-y$ સમતલમાં શરૂઆતમાં $x$-અક્ષની દિશામાં ગતિ કરતા ધન વિદ્યુતભારિત કણ માટે,$P$ બિંદુ પછી વિદ્યુત અને/અથવા ચુંબકીય ક્ષેત્રની હાજરીને કારણે તેના પથમાં અચાનક ફેરફાર થાય છે. વક્ર પથ $x-y$ સમતલમાં દર્શાવેલ છે અને તે અર્ધવર્તુળાકાર નથી. નીચેનામાંથી કયું સંયોજન શક્ય છે?

એક ઇલેક્ટ્રોન આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ થયેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્રવેશે છે. પ્લેટો પરની પૃષ્ઠ ઘનતા $\sigma$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા $E$ છે. આ જગ્યામાં $E$ ની દિશાને લંબરૂપે એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ પણ અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન $\overrightarrow{E}$ અને $\overrightarrow{B}$ બંનેને લંબરૂપે દિશામાં કોઈ પણ ફેરફાર વગર ગતિ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોનને આ જગ્યામાં $l$ અંતર કાપવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?