$3.4 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $(K.E.)$ ........... $eV$ જેટલી હોય છે. ($eV$ માં)

$4000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટો-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $-2 \ V$ ના પોટેન્શિયલની જરૂર પડતી હોય,તો પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, e = 1.6 \times 10^{-19} \ C, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈના વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો,સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણને ખોટું સાબિત કરવાના હેતુથી કરવામાં આવેલા પ્રયોગમાં મિલિકને તેને કેવી રીતે સાબિત કર્યું?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $\phi_0$ એ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન છે)
$(A)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખીય છે.
$(B)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઢાળ $= \frac{\phi_0}{h}$ છે.
$(C)$ પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ એ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખાના ઢાળ સાથે સંબંધિત છે.
$(D)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઉપયોગ કરીને $h$ નક્કી કરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભારના મૂલ્યની જરૂર નથી.
$(E)$ $h$ નું મૂલ્ય જાણ્યા વિના વર્ક ફંક્શનનો અંદાજ લગાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: