एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

निम्नलिखित बैंड-ऊर्जा आरेख क्या दर्शाता है?

$P$-प्रकार का अर्धचालक तैयार करने के लिए $Si$ के नमूने में इंडियम अशुद्धि मिलाई जाती है। इस अर्धचालक में $Si$ के $5 \times 10^7$ परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु मिलाया गया है। $Si$ के नमूने का परमाणु घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ परमाणु/m}^3$ है,तो सिलिकॉन के $1 \text{ cm}^3$ के घन में कितने स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणु होंगे?

एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में $301 \ K$ पर इलेक्ट्रॉन-होल सांद्रता $10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु मिलाए जाते हैं। सिलिकॉन में नई होल सांद्रता (प्रति $m^3$ में) क्या है?

यदि $5 \times 10^7$ सिलिकॉन परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु को डोप किया जाता है,और सिलिकॉन परमाणुओं का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} \, \text{atoms}/\text{m}^3$ है,तो $\text{atoms}/\text{cm}^3$ में स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणुओं का संख्या घनत्व ज्ञात कीजिए।

जर्मेनियम क्रिस्टल को $P-$प्रकार के अर्धचालक में बदलने के लिए मिलाई गई अशुद्धि की संयोजकता क्या है?