एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z=33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम में इंडियम $(Z=49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को एक-दूसरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

  • A
    $X$ $P-$ प्रकार का है,$Y$ $N-$ प्रकार का है और जंक्शन फॉरवर्ड बायस में है
  • B
    $X$ $N-$ प्रकार का है,$Y$ $P-$ प्रकार का है और जंक्शन फॉरवर्ड बायस में है
  • C
    $X$ $P-$ प्रकार का है,$Y$ $N-$ प्रकार का है और जंक्शन रिवर्स बायस में है
  • D
    $X$ $N-$ प्रकार का है,$Y$ $P-$ प्रकार का है और जंक्शन रिवर्स बायस में है

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एक रिवर्स-बायस्ड $PN$ जंक्शन की डिप्लेशन परत के मध्य में,

एक डायोड जिसके जंक्शन पर $0.5\, V$ का विभवांतर है,जो धारा पर निर्भर नहीं करता है,उसे $20\, \Omega$ के प्रतिरोध के साथ श्रेणीक्रम में एक स्रोत से जोड़ा गया है। यदि प्रतिरोध से $0.1\, A$ की धारा प्रवाहित होती है,तो स्रोत का वोल्टेज क्या है ($, V$ में)?

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दिए गए नेटवर्क में वोल्टेज $V_0$ का मान क्या है?

दी गई आकृति में,एक डायोड $D$ को एक बाहरी प्रतिरोध $R = 100 \,\Omega$ और $3.5 \,V$ के $e.m.f.$ से जोड़ा गया है। यदि डायोड के सिरों पर विकसित अवरोध विभव (barrier potential) $0.5 \,V$ है,तो परिपथ में धारा ........ $mA$ होगी।

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