(N/A) આ પ્રક્રિયા ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરોમેટિક વિસ્થાપન (કપલિંગ પ્રક્રિયા) નું ઉદાહરણ છે.
આલ્કલાઇન માધ્યમમાં,ફિનોલ ફિનોક્સાઇડ આયન તરીકે અસ્તિત્વ ધરાવે છે,જે ફિનોલ કરતા વધુ ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ છે અને તેથી ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી હુમલા માટે વધુ સક્રિય છે.
આ પ્રક્રિયામાં ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી એરાઇલ ડાયઝોનિયમ કેટાયન છે.
ડાયઝોનિયમ કેટાયનની પ્રતિક્રિયાત્મકતા બેન્ઝીન રિંગ પરના વિસ્થાપકના ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક અથવા ઇલેક્ટ્રોન-દાતા સ્વભાવ પર આધાર રાખે છે.
$p-$નાઈટ્રોફિનાઈલ ડાયઝોનિયમ કેટાયનમાં મજબૂત ઇલેક્ટ્રોન-આકર્ષક $-NO_2$ સમૂહ હોય છે,જે ડાયઝોનિયમ સમૂહની ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગીતા વધારે છે.
તેનાથી વિપરીત,$p-$ટોલ્યુઈન ડાયઝોનિયમ કેટાયનમાં $-CH_3$ સમૂહ ઇલેક્ટ્રોન-દાતા છે,જે ડાયઝોનિયમ સમૂહની ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગીતા ઘટાડે છે.
વધુ મજબૂત ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી ઝડપથી પ્રતિક્રિયા આપે છે,તેથી $p-$નાઈટ્રોફિનાઈલ ડાયઝોનિયમ કેટાયન મુખ્ય નીપજ તરીકે $p-$હાઈડ્રોક્સી-$p'-$નાઈટ્રોએઝોબેન્ઝીન બનાવવા માટે ફિનોક્સાઇડ આયન સાથે પસંદગીયુક્ત રીતે જોડાય છે.