વિધાન: $SF_4$ માં તમામ $F-S-F$ ખૂણા $90^\circ$ કરતા વધારે પરંતુ $180^\circ$ કરતા ઓછા હોય છે.
કારણ: અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ એ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણ કરતા નિર્બળ હોય છે.

  • A
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી હોય.
  • B
    જો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય પરંતુ કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી ન હોય.
  • C
    જો વિધાન સાચું હોય પરંતુ કારણ ખોટું હોય.
  • D
    જો વિધાન અને કારણ બંને ખોટા હોય.

Explore More

Similar Questions

નીચેની માહિતી ધ્યાનમાં લો $(X = F$ અથવા $Cl)$:
અણુ $P-X$ (અક્ષીય) બંધ લંબાઈ / $P-X$ (વિષુવવૃત્તીય) બંધ લંબાઈ
$PF_5$ $a / b$
$PF_4CH_3$ $c / d$
$PF_3(CH_3)_2$ $e / f$
$PCl_5$ $g / h$

આપેલી માહિતી મુજબ,બંધ લંબાઈનો ખોટો ક્રમ પસંદ કરો.

નીચેનામાંથી કયો ક્રમ વધતા બંધકોણ માટે સાચો છે?

$VSEPR$ મોડેલના આધારે,List-$I$ માં આપેલા ઝેનોન સંયોજનોને List-$II$ માં આપેલી તેમની ભૂમિતિ અને ઝેનોન પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની સંખ્યા સાથે જોડો અને સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
List-$I$List-$II$
$(P)$ $XeF_2$$(5)$ ટ્રાયગોનલ બાયપિરામિડલ અને ત્રણ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો
$(Q)$ $XeF_4$$(3)$ સ્ક્વેર પ્લેનર અને બે અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો
$(R)$ $XeO_3$$(2)$ પિરામિડલ અને એક અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ
$(S)$ $XeO_3F_2$$(4)$ ટ્રાયગોનલ બાયપિરામિડલ અને શૂન્ય અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો

$I_2Cl_6$ અણુમાં,$\text{સાચા}$ વિધાન(નો) પસંદ કરો.

$XeF_2$ એ કોની સાથે આઈસોસ્ટ્રક્ચરલ (સમાન બંધારણીય) છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo