$v_1$ જેટલી આપાત વિકિરણ આવૃત્તિ માટે,જે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા વધારે છે,એક ચોક્કસ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_1$ છે. $2 v_1$ આવૃત્તિ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3 V_1$ છે. જો $4 v_1$ આવૃત્તિ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $n V_1$ હોય,તો $n$ ની કિંમત શોધો.

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)

એક ધાતુની સપાટી પર $4500 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન $2 \; mT$ ના અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $90^{\circ}$ ના ખૂણે દાખલ થાય છે. જો તે $2 \; mm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગમાં ગતિ કરવાનું શરૂ કરે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય આશરે ............. $eV$ હશે.

સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000 \ Å$ છે. તેનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

ફોટોસેલ પર આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ અને $250 \ nm$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $v$ અને $2v$ છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?