કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમ દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે. ઓરડાના તાપમાને નીચેનામાંથી કયું વિધાન સૌથી યોગ્ય છે?

  • A
    વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા માત્ર $Si$ અને $Ge$ માં નોંધપાત્ર છે પરંતુ $C$ માં ઓછી છે.
  • B
    વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $C$ માં નોંધપાત્ર છે પરંતુ $Si$ અને $Ge$ માં ઓછી છે.
  • C
    ત્રણેયમાં વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા નગણ્ય છે.
  • D
    ત્રણેયમાં વહન માટે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા નોંધપાત્ર છે.

Explore More

Similar Questions

$Si$ નો એનર્જી બેન્ડ ગેપ ........ $eV$ છે.

નીચેનામાંથી શેમાં આયનીય બંધ હાજર છે?

અર્ધવાહકની વાહકતા તાપમાનમાં વધારા સાથે વધે છે કારણ કે

અર્ધવાહકોમાં ઊર્જાગેપ ........ $eV$ ના ક્રમની હોય છે.

$0\, K$ તાપમાને $N$ પરમાણુઓ ધરાવતા $Si$ અને $Ge$ ના ઉર્જા સ્તરો દોરીને સમજાવો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo