कार्बन,सिलिकॉन और जर्मेनियम में प्रत्येक के पास चार संयोजी इलेक्ट्रॉन होते हैं। ये संयोजी और चालन बैंड द्वारा विशेषता रखते हैं जो ऊर्जा बैंड अंतराल $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ और $(E_g)_{Ge}$ द्वारा अलग होते हैं। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?
- A$(E_g)_{Si} < (E_g)_{Ge} < (E_g)_C$
- B$(E_g)_C < (E_g)_{Ge} > (E_g)_{Si}$
- C$(E_g)_C > (E_g)_{Si} > (E_g)_{Ge}$
- D$(E_g)_C = (E_g)_{Si} = (E_g)_{Ge}$
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कथन: यदि किसी अर्धचालक का तापमान बढ़ाया जाता है,तो उसका प्रतिरोध घट जाता है।
कारण: चालन बैंड (conduction band) और संयोजी बैंड (valence band) के बीच ऊर्जा अंतराल बहुत छोटा होता है।
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सिलिकॉन का ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.14 \ eV$ है। वह अधिकतम तरंगदैर्ध्य जिस पर सिलिकॉन ऊर्जा का अवशोषण शुरू करेगा,वह.....$\mathring A$ है।
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View Solution$0 \ K$ तापमान पर,जर्मेनियम का एक टुकड़ा:
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View Solutionयदि किसी पदार्थ में वैलेंस बैंड और कंडक्शन बैंड के बीच का बैंडगैप $5.0 \ eV$ है, तो वह पदार्थ है
जर्मेनियम और सिलिकॉन में बैंड गैप $eV$ में क्रमशः कितना है?
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