$C$,$Si$,અને $Ge$ માટે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી કોની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સૌથી વધુ ઋણ અને કોની સૌથી ઓછી ઋણ હશે?
$P, S, Cl, F$
તમારા જવાબની સમજૂતી આપો.

$\Delta H_{eg}$ નો સાચો ક્રમ પસંદ કરો?
$(\Delta H_{eg} = \text{ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી})$

ઉષ્માશોષક (endothermic) તબક્કો ધરાવતા સમીકરણો પસંદ કરો.

કયા તત્વની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી (electron affinity) મહત્તમ છે?

ઓક્સાઇડ આયન $O^{2-}_{(g)}$ ના નિર્માણ માટે નીચે દર્શાવ્યા મુજબ પહેલા ઉષ્માક્ષેપક અને પછી ઉષ્માશોષક તબક્કાની જરૂર પડે છે:
$O_{(g)} + e^{-} \to O^{-}_{(g)}; \Delta H = -142 \, kJ \, mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^{-} \to O^{2-}_{(g)}; \Delta H = 844 \, kJ \, mol^{-1}$
આનું કારણ શું છે?