उच्च चक्रण (high spin) d^4 अष्टफलकीय संकुल के | vedclass

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Question

(B) उच्च चक्रण अष्टफलकीय संकुल में,क्रिस्टल क्षेत्र विपाटन ऊर्जा $\Delta_o$ कम होती है। इसलिए,चौथे इलेक्ट्रॉन को निम्न ऊर्जा वाले $t_{2g}$ कक्षकों में

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$- 0.6 \Delta_o$

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(B) उच्च चक्रण अष्टफलकीय संकुल में,क्रिस्टल क्षेत्र विपाटन ऊर्जा $\Delta_o$ कम होती है। इसलिए,चौथे इलेक्ट्रॉन को निम्न ऊर्जा वाले $t_{2g}$ कक्षकों में युग्मित करने के लिए आवश्यक ऊर्जा,उसे उच्च ऊर्जा वाले $e_g$ कक्षक में रखने के लिए आवश्यक ऊर्जा से अधिक होती है। अतः,उच्च चक्रण $d^4$ संकुल के लिए इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $t_{2g}^3 e_g^1$ होता है। क्रिस्टल क्षेत्र स्थिरीकरण ऊर्जा $(CFSE)$ की गणना इस प्रकार है: $	ext{CFSE} = (3 	imes -0.4 \Delta_o) + (1 	imes 0.6 \Delta_o)$ $= (-1.2 + 0.6) \Delta_o$ $= -0.6 \Delta_o$

उच्च चक्रण (high spin) $d^4$ अष्टफलकीय संकुल के लिए क्रिस्टल क्षेत्र स्थिरीकरण ऊर्जा $(CFSE)$ क्या है?

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