હાઇઝનબર્ગનો અનિશ્ચિતતાનો સિદ્ધાંત સમજાવો.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) હાઇઝનબર્ગનો અનિશ્ચિતતાનો સિદ્ધાંત જણાવે છે કે કોઈ પણ સૂક્ષ્મ કણનું ચોક્કસ સ્થાન $(\Delta x)$ અને ચોક્કસ વેગમાન $(\Delta p)$ એકસાથે માપવું અશક્ય છે.
આ સિદ્ધાંત માટેનું ગાણિતિક સૂત્ર નીચે મુજબ છે:
$\Delta x \cdot \Delta p \geq \frac{h}{4 \pi}$
જ્યાં:
- $\Delta x$ એ સ્થાનમાં રહેલી અનિશ્ચિતતા છે.
- $\Delta p$ એ વેગમાનમાં રહેલી અનિશ્ચિતતા છે.
- $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે.
મુખ્ય અસરો:
$1$. જો કણનું સ્થાન ચોકસાઈથી માપવામાં આવે $(\Delta x \rightarrow 0)$,તો તેના વેગમાનમાં અનિશ્ચિતતા અનંત થઈ જાય છે $(\Delta p \rightarrow \infty)$.
$2$. તેનાથી ઉલટું,જો વેગમાન ચોકસાઈથી માપવામાં આવે $(\Delta p \rightarrow 0)$,તો તેના સ્થાનમાં અનિશ્ચિતતા અનંત થઈ જાય છે $(\Delta x \rightarrow \infty)$.
$3$. આ સિદ્ધાંત સૂચવે છે કે ઇલેક્ટ્રોન જેવા સૂક્ષ્મ કણો માટે આપણે ચોક્કસ ગતિપથ વ્યાખ્યાયિત કરી શકતા નથી,કારણ કે એક જ સમયે સ્થાન અને વેગમાન બંને જાણવા અશક્ય છે.
$4$. ચોક્કસ વેગમાન $p$ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન માટે,ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda = \frac{h}{p}$ છે. એક નિશ્ચિત તરંગલંબાઇ ધરાવતું તરંગ સમગ્ર અવકાશમાં વિસ્તરેલું હોય છે,જેનો અર્થ છે કે ઇલેક્ટ્રોન કોઈ મર્યાદિત વિસ્તારમાં સ્થાનિક નથી,જે $\Delta x \rightarrow \infty$ સાથે સુસંગત છે.

Explore More

Similar Questions

ડેવિસન-ગર્મરના પ્રયોગમાં,નિકલનો સ્ફટિક ......... તરીકે વર્તે છે.

આ પ્રશ્નમાં વિધાન-$1$ અને વિધાન-$2$ આપેલા છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન-$1$: ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગે ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિ સ્થાપિત કરી.
વિધાન-$2$: જો ઇલેક્ટ્રોન તરંગ પ્રકૃતિ ધરાવતા હોય,તો તેઓ વ્યતિકરણ (interference) કરી શકે છે અને વિવર્તન (diffraction) દર્શાવી શકે છે.

ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગમાં,પ્રવેગક વોલ્ટેજના કયા મૂલ્ય માટે ઇલેક્ટ્રોન બીમની તીવ્રતા મહત્તમ જોવા મળી હતી ($V$ માં)?

ઈલેક્ટ્રોનનો તરંગ ગુણધર્મ સૂચવે છે કે તેઓ વિવર્તન અસર ઉત્પન્ન કરશે. ડેવિસન અને ગર્મરે સ્ફટિક પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું વિવર્તન કરીને પ્રાયોગિક રીતે આ સાબિત કર્યું. સ્ફટિક પરથી વિવર્તનનો નિયમ,સ્ફટિકના પરમાણુઓના સમતલ પરથી પરાવર્તન પામતા ઈલેક્ટ્રોન તરંગોના રચનાત્મક વ્યતિકરણ પરથી મેળવવામાં આવે છે. જ્યારે ઈલેક્ટ્રોન સ્ફટિકના સમતલ પર લંબ સાથે $i$ ખૂણે આપાત થાય છે અને સમતલો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,ત્યારે જો તીક્ષ્ણ વિવર્તન પીક મળે,તો ઈલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધવા માટે નીચેનામાંથી કયા સમીકરણનો ઉપયોગ કરી શકાય?

ઇલેક્ટ્રોનનો તરંગ ગુણધર્મ સૂચવે છે કે તેઓ વિવર્તનની અસરો દર્શાવશે. ડેવિસન અને જર્મરે સ્ફટિકોમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું વિવર્તન કરીને આ સાબિત કર્યું હતું. સ્ફટિકમાંથી થતા વિવર્તનનો નિયમ એ શરત પરથી મેળવવામાં આવે છે કે સ્ફટિકમાં પરમાણુઓના સમતલ પરથી પરાવર્તિત થતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગો સહાયક વ્યતિકરણ અનુભવે (આકૃતિ જુઓ).
$V$ સ્થિતિમાન દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનનું સ્ફટિકમાંથી વિવર્તન થાય છે. જો $d = 1\; \text{\AA}$ અને $i = 30^{\circ}$ હોય, તો $V$ આશરે ....... $V$ હોવું જોઈએ.
$(h = 6.6 \times 10^{-34}\; J-s, m = 9.1 \times 10^{-31}\; kg, e = 1.6 \times 10^{-19}\; C)$

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo