प्राथमिक अर्धचालकों (elementary semiconductors) का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास लिखकर उनकी क्रिस्टलीय संरचना को समझाइए।

(N/A) प्राथमिक अर्धचालक $Si$ और $Ge$ हैं।
$Si$ का परमाणु क्रमांक $Z=14$ है। इसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{2}$ है। $K$ और $L$ कोश पूरी तरह से भरे हुए हैं और $M$ कोश $(n=3)$ अधूरा है,जिसमें चार संयोजी इलेक्ट्रॉन $(3s^{2} 3p^{2})$ हैं।
$Ge$ का परमाणु क्रमांक $Z=32$ है। इसका इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{2} 3p^{6} 3d^{10} 4s^{2} 4p^{2}$ है। $K, L$ और $M$ कोश पूरी तरह से भरे हुए हैं,लेकिन $N$ कोश $(n=4)$ अधूरा है,जिसमें चार संयोजी इलेक्ट्रॉन $(4s^{2} 4p^{2})$ हैं।
अतः,$Si$ और $Ge$ चतुःसंयोजक (tetravalent) तत्व हैं।
उनकी क्रिस्टलीय संरचना में,प्रत्येक $Si$ या $Ge$ परमाणु अपने चार संयोजी इलेक्ट्रॉनों में से एक-एक इलेक्ट्रॉन को अपने चार निकटतम पड़ोसी परमाणुओं के साथ साझा करता है और प्रत्येक ऐसे पड़ोसी से एक इलेक्ट्रॉन का साझा लेता है।
ये साझा इलेक्ट्रॉन जोड़े सहसंयोजक बंध (covalent bond) बनाते हैं। प्रत्येक बंध में दो इलेक्ट्रॉन होते हैं।
चित्र $Ge$ या $Si$ के एक परमाणु को उसके चार पड़ोसी परमाणुओं के साथ सहसंयोजक रूप से बंधे हुए दर्शाता है। ठोस बिंदु संयोजी इलेक्ट्रॉनों का प्रतिनिधित्व करते हैं। यह चित्र द्वि-आयामी है और $+4$ प्रतीक $Si$ या $Ge$ परमाणु के आंतरिक कोर को दर्शाता है।
प्रत्येक बंधित इलेक्ट्रॉन उन परमाणुओं से मजबूती से बंधा होता है जिनसे वे जुड़े होते हैं।