ડોપિંગ અર્ધવાહકોની વાહકતામાં કેવી રીતે વધારો કરે છે?

(N/A) ડોપિંગમાં અર્ધવાહકના વિદ્યુતીય ગુણધર્મોને બદલવા માટે તેમાં અશુદ્ધિઓનું અલ્પ પ્રમાણ ઉમેરવામાં આવે છે.
$1$. જ્યારે $Si$ કે $Ge$ જેવા અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ અશુદ્ધિઓ (સમૂહ $15$ ના તત્વો જેવા કે $P$ અથવા $As$) ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે વધારાના સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે,જે વાહકતા વધારે છે. આને $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક કહેવાય છે.
$2$. જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવતી અશુદ્ધિઓ (સમૂહ $13$ ના તત્વો જેવા કે $B$ અથવા $Al$) ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ફટિક લેટીસમાં ઇલેક્ટ્રોનની ખાલી જગ્યાઓ સર્જાય છે જેને 'હોલ્સ' કહેવાય છે. આ હોલ્સ ઇલેક્ટ્રોનને ગતિ કરવા દે છે,જેનાથી વાહકતા વધે છે. આને $p$-પ્રકારનો અર્ધવાહક કહેવાય છે.
આમ,ડોપિંગ ઇલેક્ટ્રોનિક ખામીઓ ઉત્પન્ન કરે છે જે વિદ્યુતભાર વાહકોની ગતિને સરળ બનાવે છે,જેથી વિદ્યુત વાહકતામાં નોંધપાત્ર વધારો થાય છે.