અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન દરમિયાન $d^4$ આયન માટે $t_{2g}^4 e_g^0$ ઇલેક્ટ્રોન રચના કેવી રીતે શક્ય છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે,એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: $[CoCl(NH_3)_5]^{2+}$ એ $[Co(NH_3)_5(H_2O)]^{3+}$ ની સાપેક્ષમાં પ્રકાશની ઓછી તરંગલંબાઇ પર શોષણ કરે છે.
કારણ $R$: કારણ કે શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ ધાતુ આયનની ઓક્સિડેશન અવસ્થા પર આધાર રાખે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

$[Cr(H_2O)_6]^{3+}$ ના સમશક્તિમાન (degenerate) કક્ષકો કયા છે?

$Co$ $(Z = 27)$ ના અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ માટે,નીચેનામાંથી કોનું $\Delta_0$ મૂલ્ય સૌથી વધુ હશે?

નીચેનામાંથી $t_{2g}$ ઓર્બિટલમાં ઇલેક્ટ્રોન ન ધરાવતા સંકીર્ણોની સંખ્યા કેટલી છે: $TiCl_4, [MnO_4]^{-}, [FeO_4]^{2-}, [FeCl_4]^{-}, [CoCl_4]^{2-}$

સંકિર્ણ $[Co(CN)_6]^{3-}$ માટે ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઈઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ કેટલી હશે?