તમે નીચેના માટે કેવી રીતે સમજૂતી આપશો:
$(i)$ $d^{4}$ સ્પીસીઝમાં,$Cr^{2+}$ પ્રબળ રિડક્શનકર્તા છે જ્યારે $Mn^{3+}$ પ્રબળ ઓક્સિડેશનકર્તા છે.
$(ii)$ $Co^{2+}$ જલીય દ્રાવણમાં સ્થાયી છે પરંતુ સંકીર્ણ બનાવતા પ્રક્રિયકોની હાજરીમાં તેનું સરળતાથી ઓક્સિડેશન થાય છે.
$(iii)$ $d^{1}$ ઇલેક્ટ્રોન રચના આયનોમાં ખૂબ જ અસ્થાયી છે.

(N/A) $(i)$ $Cr^{2+}$ પ્રકૃતિમાં પ્રબળ રિડક્શનકર્તા છે. તેની પાસે $d^{4}$ ઇલેક્ટ્રોન રચના છે. રિડક્શનકર્તા તરીકે કામ કરતી વખતે,તે $Cr^{3+}$ (ઇલેક્ટ્રોનિક રચના,$d^{3}$) માં ઓક્સિડાઇઝ થાય છે. આ $d^{3}$ રચનાને $t_{2g}^{3}$ રચના તરીકે લખી શકાય છે,જે વધુ સ્થાયી રચના છે. $Mn^{3+} (d^{4})$ ના કિસ્સામાં,તે ઓક્સિડેશનકર્તા તરીકે કાર્ય કરે છે અને $Mn^{2+} (d^{5})$ માં રિડ્યુસ થાય છે. આમાં બરાબર અડધી ભરાયેલી $d$-કક્ષક હોય છે અને તે અત્યંત સ્થાયી છે.
$(ii)$ $Co^{2+}$ જલીય દ્રાવણોમાં સ્થાયી છે. જો કે,પ્રબળ ક્ષેત્ર ધરાવતા સંકીર્ણ બનાવતા પ્રક્રિયકોની હાજરીમાં,તેનું $Co^{3+}$ માં ઓક્સિડેશન થાય છે. જોકે $Co$ માટે ત્રીજી આયનીકરણ ઉર્જા ઊંચી છે,પરંતુ પ્રબળ ક્ષેત્રના લિગાન્ડ્સની હાજરીમાં મુક્ત થતી ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઇઝેશન એનર્જી $(CFSE)$ આ આયનીકરણ ઉર્જાને દૂર કરે છે.
$(iii)$ $d^{1}$ રચના ધરાવતા આયનો સ્થાયી $d^{0}$ રચના મેળવવા માટે વધુ એક ઇલેક્ટ્રોન ગુમાવવાનું વલણ ધરાવે છે. ઉપરાંત,જલીયકરણ અથવા લેટીસ ઉર્જા આ આયનોની $d$-કક્ષકમાં હાજર એકમાત્ર ઇલેક્ટ્રોનને દૂર કરવા માટે પૂરતી છે. તેથી,તેઓ રિડક્શનકર્તા તરીકે કાર્ય કરે છે.