यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की सांद्रता हैं,तो तापीय साम्यावस्था में नैज वाहक सांद्रता $(n_i)$ है

मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1$ ppm सांद्रता वाले पेंटावैलेंट $As$ द्वारा डोप किया जाता है। होल्स की संख्या की गणना करें। दिया गया है कि $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$।

कथन: कमरे के तापमान पर $p-$प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या शुद्ध सिलिकॉन अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या से कम होती है।
कारण: यह द्रव्यमान क्रिया के नियम (law of mass action) के कारण है।

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? यदि आंतरिक वाहक सांद्रता $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ है और इस तापमान पर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ और होल गतिशीलता $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ है।

ऊर्जा बैंड सिद्धांत के आधार पर $n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालकों की व्याख्या कीजिए।

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान है,जो $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?