જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{2\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વિરુદ્ધ તરંગલંબાઈનો વ્યસ્ત $(1/\lambda)$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જેમ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા વધારવામાં આવે તેમ:

$3 \,eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનનો પ્રવાહ પોટેશિયમની સપાટી પર આપાત થાય છે. પોટેશિયમનું કાર્ય વિધેય $2.3 \,eV$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને $5 \,mm$ દૂર રાખેલી કોપર પ્લેટ દ્વારા ધીમા પાડવામાં આવે છે. જો બે ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $1 \,V$ હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન પાછા ફરતા પહેલા પોટેશિયમની સપાટીથી કેટલા મહત્તમ અંતર સુધી જઈ શકશે? .......... $mm$.

જો $Na$ ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ હોય,તો તેની થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $EM$ વર્ણપટના કયા પ્રદેશમાં આવશે?