જો અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલના પ્રવાહનો ગુણોત્તર $\frac{7}{4}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર $\frac{5}{4}$ હોય, તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$N$-પ્રકારના $Ge$ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઈલેક્ટ્રોન્સની મોબિલિટી $5000 \ cm^2/V \cdot s$ અને વાહકતા $5 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણી શકાય તેવી હોય,તો અશુદ્ધિ પરમાણુઓની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન $\underline{TRUE}$ (સાચું) છે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $n-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?