$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?

બે અલગ-અલગ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો કે જેમના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $\phi$ અને $2 \phi$ છે,તેમને ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે પૂરતી ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો આ બે પદાર્થો માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે,તો આ બે પદાર્થો માટે આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર શું હશે?

પ્રકાશ તરંગનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E = 10^{-3} \cos \left( \frac{2\pi x}{5 \times 10^{-7}} - 2\pi \times 6 \times 10^{14} t \right) \hat x \, N/C$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ છે.

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $3.2 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $6.63 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે કેટલા હશે?
[પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34} \text{ J} \cdot \text{s}$]
[પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^{8} \text{ m/s}$]
[ઈલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$]

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$670.5\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એક મોનોક્રોમેટિક નિયોન લેમ્પ એક પ્રકાશ-સંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.48\, V$ છે. જો પ્રકાશના સ્ત્રોતને $474.6\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બીજા સ્ત્રોત સાથે બદલવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ કેટલો હશે? ($V$ માં)