એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

પ્રકાશના એક કિરણપુંજમાં $4972\,\mathring{A}$ અને $6216\,\mathring{A}$ એમ બે તરંગલંબાઈઓ છે,જેની કુલ તીવ્રતા $3.6 \times 10^{-3}\,\text{W/m}^2$ છે અને તે બંને તરંગલંબાઈઓ વચ્ચે સમાન રીતે વહેંચાયેલી છે. આ કિરણપુંજ $2.3\,\text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી શુદ્ધ ધાતુની સપાટીના $1\,\text{cm}^2$ ક્ષેત્રફળ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ધારો કે પરાવર્તન દ્વારા પ્રકાશનો કોઈ વ્યય થતો નથી અને દરેક સક્ષમ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. $2\,\text{s}$ માં મુક્ત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

જો ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પર શું અસર થશે?

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $1.92 eV, 2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ માટે કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

શૂન્ય ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન પ્રવાહ મેળવવા માટેનું રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ):

$v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ એક નિશ્ચિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ (દહેલી) આવૃત્તિ $v_0$ છે. પદાર્થ માટે કાર્ય વિધેય (Work Function) શું છે?