અર્ધવાહક પદાર્થમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_e$ અને $\mu_h$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

શું અલગ કરેલા મુક્ત પરમાણુની આયનીકરણ ઉર્જા સ્ફટિકીય લેટીસમાં રહેલા પરમાણુઓની આયનીકરણ ઉર્જા કરતા અલગ હોય છે?

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઇ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે.....$\mathring A$ છે.

વિધાન $(A)$: જ્યારે એલ્યુમિનિયમનો તાર અને સિલિકોનનો બીજો તાર ઓરડાના તાપમાનથી $80^{\circ} C$ સુધી ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે એલ્યુમિનિયમની વાહકતા ઘટે છે અને સિલિકોનની વાહકતા વધે છે.
કારણ $(R)$: એલ્યુમિનિયમનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ધન હોય છે અને સિલિકોનનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ઋણ હોય છે.

$Ge$ માટે ફોરબિડન એનર્જી ગેપ (forbidden energy gap) ....... $eV$ છે.

ઓરડાના તાપમાને અર્ધવાહક પદાર્થમાં: