एक अर्धचालक डायोड में,रिवर्स बायस करंट मुक्त इलेक्ट्रॉनों और होल्स के ड्रिफ्ट के कारण होता है,जो किसके द्वारा उत्पन्न होता है?

$p-n$ जंक्शन डायोड की अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई,जब यह $(i)$ अग्र अभिनत (forward biased) और $(ii)$ पश्च अभिनत (reverse biased) होती है,क्रमशः क्या होती है?

निम्नलिखित में से कौन सा रिवर्स-बायस्ड (reverse-biased) है?

दो समान $p-n$ जंक्शनों को नीचे दिखाए अनुसार तीन तरीकों से एक बैटरी के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा गया है। किन परिपथों में दोनों $p-n$ जंक्शनों के सिरों पर विभव पतन (potential drop) समान है?

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $A$ और $B$ बिंदुओं के बीच एक $2V$ की बैटरी जोड़ी गई है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है,जब बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $A$ से जुड़ा होता है,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ........$A$ है।