અર્ધવાહકમાં,
- Aકોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
- Bમુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક કરતા વધારે હોય છે.
- C$0 \ K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
- Dઆમાંથી કોઈ પણ નહીં.
Explore More
Similar Questions
નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
Medium
View Solution$Si$ નો એનર્જી બેન્ડ ગેપ ........ $eV$ છે.
Easy
View Solutionનીચેનામાંથી ખોટું વિધાન ઓળખો. આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં:
કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ દરેક પાસે ચાર સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે. ઓરડાના તાપમાને નીચેનામાંથી કયું વિધાન સૌથી યોગ્ય છે?
Medium
View Solution$C$ અને $Si$ બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરેક માં $4$ બંધન ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જોકે,$C$ એ અવાહક છે જ્યારે $Si$ એ શુદ્ધ અર્ધવાહક છે. આનું કારણ એ છે કે:
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo