एक ट्रांजिस्टर में,बेस को बहुत पतला बनाया जाता है और अशुद्धि के साथ हल्का डोप किया जाता है क्योंकि:

दिए गए परिपथ में,प्रयुक्त ट्रांजिस्टर का करंट गेन $\beta = 100$ है। बेस प्रतिरोध $R_B$ का मान क्या होना चाहिए ताकि $V_{CE} = 5\,V$ और $V_{BE} = 0\,V$ हो?

एक $CE$ ट्रांजिस्टर में,जब आधार धारा (base current) $60 \mu A$ बढ़ जाती है,तो आधार-उत्सर्जक वोल्टेज (base-emitter voltage) में परिवर्तन $1.2 \ V$ होता है। तब इनपुट प्रतिरोध (input resistance) है: ($\Omega$ में)

ट्रांजिस्टर क्रिया के लिए:
$(1)$ बेस,एमिटर और कलेक्टर क्षेत्रों का आकार और डोपिंग सांद्रता समान होनी चाहिए।
$(2)$ बेस क्षेत्र बहुत पतला और हल्के डोपिंग वाला होना चाहिए।
$(3)$ एमिटर-बेस जंक्शन फॉरवर्ड बायस और बेस-कलेक्टर जंक्शन रिवर्स बायस होना चाहिए।
$(4)$ एमिटर-बेस जंक्शन और बेस-कलेक्टर जंक्शन दोनों फॉरवर्ड बायस होने चाहिए।
निम्नलिखित में से कौन सा कथनों का युग्म सही है?

कथन: ट्रांजिस्टर में आधार (base) को पतला बनाया जाता है।
कारण: एक पतला आधार ट्रांजिस्टर को स्थिर बनाता है।

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर में, उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का $95 \%$ कलेक्टर तक पहुँचता है। यदि बेस करंट $2 \text{ mA}$ है, तो कलेक्टर करंट क्या है ($\text{ mA}$ में)?