एक $LED$ में,जब फॉरवर्ड बायस को बढ़ाया जाता है (शून्य से शुरू करके),तो उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता:

जब $2480 \; nm$ से कम तरंग दैर्ध्य का विद्युत चुम्बकीय विकिरण एक अर्धचालक पर आपतित होता है,तो उसकी विद्युत चालकता बढ़ जाती है। अर्धचालक के लिए $eV$ में बैंड गैप है

कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

कथन : डायोड लेजर का उपयोग ऑप्टिकल संचार में ऑप्टिकल स्रोतों के रूप में किया जाता है।
कारण : डायोड लेजर कम ऊर्जा की खपत करते हैं।

एक $LED$ (Light Emitting Diode) को एक निश्चित $Ga-As-P$ अर्धचालक पदार्थ पर आधारित $p-n$ जंक्शन से बनाया गया है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9\, eV$ है। उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य (wavelength) क्या है?

सौर सेल में विद्युत ऊर्जा उत्पन्न करने के लिए सूर्य की किस तरंग दैर्ध्य का मुख्य रूप से उपयोग किया जाता है?